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检测对象 |
项目/参数 |
检测标准（方法） |
说明 |
生效日期 |
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序号 |
名称 |
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双极型 晶体管 |
1 |
集电极-发射极饱和电压 |
半导体分立器件和集成电第7部分:双极型晶体管GB/T 4587-1994第4章1.4条 |
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2 |
基极-发射极 饱和电压 |
半导体分立器件和集成电第7部分:双极型晶体管GB/T 4587-1994第4章1.5节 |
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3 |
放大倍数 |
半导体分立器件和集成电第7部分:双极型晶体管GB/T 4587-1994第5章5.3节 |
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4 |
集电极-基极 截止电流 |
半导体分立器件和集成电第7部分:双极型晶体管GB/T 4587-1994第4章2.2节 |
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5 |
工作温度 |
半导体分立器件和集成电第7部分:双极型晶体管GB/T 4587-1994第3章1.3节 |
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IGBT |
1 |
集电极-发射极电压 |
半导体器件分立器件第9部分绝缘栅双极晶体管GB/T 29332-2012第6章第2.1节 |
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2 |
集电极—发射极饱和电压 |
半导体器件分立器件第9部分绝缘栅双极晶体管GB/T 29332-2012第6章第3.2节 |
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3 |
栅极-发射极阈值电压 |
半导体器件分立器件第9部分绝缘栅双极晶体管GB/T 29332-2012第6章第3.3节 |
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4 |
集电极截止电流 |
半导体器件分立器件第9部分绝缘栅双极晶体管GB/T 29332-2012第6章第3.4节 |
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5 |
集电极漏电电流 |
半导体器件分立器件第9部分绝缘栅双极晶体管GB/T 29332-2012第6章第3.5节 |
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6 |
开通期间的各时间间隔和开通能量 |
半导体器件分立器件第9部分绝缘栅双极晶体管GB/T 29332-2012第6章第3.11节 |
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7 |
关断期间的各时间间隔和开通能量 |
半导体器件分立器件第9部分绝缘栅双极晶体管GB/T 29332-2012第6章第3.12节 |
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8 |
栅极—发射电压 |
半导体器件分立器件第9部分绝缘栅双极晶体管GB/T 29332-2012第6章第2.2节 |
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9 |
集电极峰值电流 |
半导体器件分立器件第9部分绝缘栅双极晶体管GB/T 29332-2012第6章第2.4节 |
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10 |
通态过载电流 |
柔性直流输电用电力电子器件技术规范GB/T 37660-2019第5章第2.6节 |
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11 |
输入电容 |
半导体器件分立器件第9部分绝缘栅双极晶体管GB/T 29332-2012第5章第3.6节 |
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12 |
输出电容 |
半导体器件分立器件第9部分绝缘栅双极晶体管GB/T 29332-2012第5章第3.7节 |
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13 |
高温阻断 |
半导体器件分立器件第9部分绝缘栅双极晶体管GB/T 29332-2012第7章第2.5.1节 |
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14 |
间歇工作寿命 |
半导体器件分立器件第9部分绝缘栅双极晶体管GB/T 29332-2012第7章第2.5.3节 |
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15 |
管壳不破裂 |
半导体器件分立器件第9部分绝缘栅双极晶体管GB/T 29332-2012中附录D的规定 |
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场效应 晶体管 |
1 |
栅-源阈值电压 |
半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管GB/T4586-1994第3章1.6条 |
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2 |
漏-源通态电阻 |
半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管GB/T4586-1994第3章3.5.2节 |
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3 |
漏-源通态电压 |
半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管GB/T4586-1994第3章3.5.1节 |
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4 |
跨导 |
半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管GB/T4586-1994第3章4.6节 |
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5 |
正向栅源漏电流 |
半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管GB/T4586-1994第3章5.3节 |
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6 |
工作温度 |
半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管GB/T4586-1994第3章2.1节 |
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晶闸管 |
1 |
门极触发电流 |
半导体器件第6部分晶闸管 GB/T15291-1994第3章7.27节 |
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2 |
门极触发电压 |
半导体器件第6部分晶闸管 GB/T15291-1994第3章7.28节 |
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3 |
通态电压 |
半导体器件第6部分晶闸管 GB/T15291-1994第5章4.2节 |
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4 |
断态电流 |
半导体器件第6部分晶闸管GB/T15291-1994第5章4.5条 |
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5 |
维持电流 |
半导体器件第6部分晶闸管GB/T15291-1994第5章4.3条 |
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6 |
功率 |
半导体器件第6部分晶闸管GB/T15291-1994第3章8节 |
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